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    材料專業(yè)知識(shí)分享 | 讀懂位錯(cuò)的柏氏矢量及位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)

    位錯(cuò)的柏氏矢量


    柏氏矢量晶體中有位錯(cuò)存在時(shí),滑移面一側(cè)質(zhì)點(diǎn)相對(duì)于另一側(cè)質(zhì)點(diǎn)的相對(duì)位移或畸變。性質(zhì):大小表征了位錯(cuò)的單位滑移距離,方向與滑移方向一致,是一個(gè)反映位錯(cuò)周圍點(diǎn)畸變總累積的物理量。

    01


    柏氏回路及柏氏矢量


    柏氏矢量是位錯(cuò)的單位滑移距離,由柏氏回路決定的。
    柏氏回路:從理想晶體某一點(diǎn)出發(fā),按基本平移矢量方向走,最后又回到原出發(fā)點(diǎn),這種回路叫柏氏回路。若回路中無位錯(cuò),則首尾相連,否則首尾不相連。

    02


    柏氏矢量(Burgers vector)的確定:


    (1)首先選定位錯(cuò)線的正向(ξ),例如,常規(guī)定出紙面的方向?yàn)槲诲e(cuò)線的正方向。
    (2)在理想晶體中,從任一原子出發(fā),以一定的方向和步數(shù)作一右旋回路,此回路閉合。
    (3)在實(shí)際晶體中,從任一原子出發(fā),圍繞位錯(cuò)(避開位錯(cuò)線附近的嚴(yán)重畸變區(qū))以同樣的方向和步數(shù)作相同的回路,該回路并不封閉,由終點(diǎn)向起點(diǎn)引一矢量b,使該回路閉合,這個(gè)矢量b就是實(shí)際晶體中位錯(cuò)的柏氏矢量。
    注意:刃型位錯(cuò)滑移面為ξ與柏氏矢量所構(gòu)成的平面,只有一個(gè);螺型位錯(cuò)滑移面不定,多個(gè)。
    用柏氏矢量判斷位錯(cuò)類型:
    (1)刃型位錯(cuò)ξ⊥b
    右手法則:食指指向位錯(cuò)線方向,中指指向柏氏矢量方向(位錯(cuò)線運(yùn)動(dòng)的方向),拇指指向代表多余半面子面位向,向上為正,向下為負(fù)。
    (2)螺型位錯(cuò)ξ∥b
    柏氏矢量與位錯(cuò)線的方向:正向(方向相同)為右螺旋位錯(cuò),負(fù)向(方向相反)為左螺旋位錯(cuò)。

    03


    柏氏矢量的特征:


    (1)柏氏矢量是一個(gè)反映周圍點(diǎn)陣畸變總的物理量,柏氏矢量的方向表示位錯(cuò)的性質(zhì)與位錯(cuò)的取向,即位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致晶體滑移的方向,柏氏矢量的模表示了畸變的程度,稱為位錯(cuò)的強(qiáng)度。
    (2)柏氏矢量與回路起點(diǎn)以及具體的途徑無關(guān),回路確定的柏氏矢量是唯一的,柏氏矢量具有守恒性。
    (3)一根不分叉的位錯(cuò)線,不論其形狀如何改變,也不管位錯(cuò)線上的各處的位錯(cuò)類型是否相同,其各部分的柏氏矢量都相同,當(dāng)位錯(cuò)在晶體中運(yùn)動(dòng)或改變方向時(shí),其柏氏矢量不變,即一根位錯(cuò)線具有唯一的柏氏矢量。
    (4)若一個(gè)柏氏矢量為b1的位錯(cuò)可以分解為柏氏矢量分別為b1,b2,b3。。。的n個(gè)位錯(cuò),則分解后的各個(gè)位錯(cuò)的柏氏矢量之和等于原位錯(cuò)的柏氏矢量,即

    若有數(shù)根位錯(cuò)的柏氏矢量交于一點(diǎn)(位錯(cuò)節(jié)點(diǎn)),指向節(jié)點(diǎn)的各個(gè)位錯(cuò)線的柏氏矢量的和,等于離開節(jié)點(diǎn)各個(gè)位錯(cuò)的柏氏矢量之和。
    (5)位錯(cuò)在晶體中存在的形態(tài)可形成一個(gè)閉合的位錯(cuò)環(huán),或連接于其他的位錯(cuò),或終止在晶界或露頭于晶體表面,但不能中斷于晶體內(nèi)部。

    04


    柏氏矢量的表示法


    柏氏矢量的大小和方向可以用它在晶軸上的分量,即點(diǎn)陣矢量a,b和c來表示。例如柏氏矢量等于從體心立方晶系的原點(diǎn)到體心的矢量:
    可以寫成
    一般立方晶系的柏氏矢量可以表示為
    其中n為正整數(shù)。
    柏氏矢量滿足矢量加法,位錯(cuò)反應(yīng)中需要滿足幾何條件和能量條件:
    b2.png
    特別重要的考點(diǎn),請(qǐng)大家掌握。

    位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)


    晶體宏觀的塑性變形是通過位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)的。
    原因:位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)是因它沿受力方向改變位置會(huì)使系統(tǒng)自由能減少,位錯(cuò)實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)要求它所受的力足以克服運(yùn)動(dòng)阻力。
    類型:兩種---保守運(yùn)動(dòng)和非保守運(yùn)動(dòng)。
    保守運(yùn)動(dòng)是位錯(cuò)在滑移面上的滑動(dòng)或滑移,滑動(dòng)和滑移通常是同義的。但嚴(yán)格地說,“滑動(dòng)”指單個(gè)位錯(cuò)的行為而“滑移”指多個(gè)位錯(cuò)的行為。
    非保守運(yùn)動(dòng)是離開滑移面的運(yùn)動(dòng),最本質(zhì)的非保守運(yùn)動(dòng)是位錯(cuò)的攀移,只有刃位錯(cuò)才有攀移運(yùn)動(dòng),并引起位錯(cuò)的半原子面擴(kuò)大和縮小,因此攀移總是伴隨著點(diǎn)缺陷的輸運(yùn)。

    01


    位錯(cuò)的滑移


    包括:刃型位錯(cuò)螺型位錯(cuò)的滑移。
    可滑移面:位錯(cuò)線與柏氏矢量構(gòu)成的晶面稱為位錯(cuò)的滑移面;
    位錯(cuò)的易滑移面:晶體的滑移面通常為晶體中原子的原子密排面,在密排面上,位錯(cuò)的滑移容易進(jìn)行(由于在密排面上原子間距最小,滑移的阻力最小),所以晶體的滑移面又叫位錯(cuò)的易滑移面。
    晶體的位錯(cuò)線并不一定剛好在晶體的滑移面上。
    位錯(cuò)沿滑移面的運(yùn)動(dòng)稱為滑移運(yùn)動(dòng),如圖1所示。位錯(cuò)的滑移是在切應(yīng)力的作用下進(jìn)行的,只有當(dāng)滑移面上的切應(yīng)力分量達(dá)到一定值后位錯(cuò)才能滑移。
    當(dāng)位錯(cuò)掃過整個(gè)滑移面時(shí),即位錯(cuò)線運(yùn)動(dòng)移出晶體表面時(shí),滑移面兩邊的晶體將產(chǎn)生一個(gè)柏氏矢量寬度(|b|)的位移。
    圖1 刃型位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng).png
    圖1 刃型位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)
    (1)位錯(cuò)滑移的機(jī)理
    位錯(cuò)在滑移時(shí)是通過位錯(cuò)線或位錯(cuò)附近的原子逐個(gè)移動(dòng)很小的距離完成的。
    位錯(cuò)滑移的機(jī)理.png
    (2)位錯(cuò)的滑移特點(diǎn)
    ①刃位錯(cuò)滑移方向與外力t及柏氏矢量b平行,正、負(fù)刃位錯(cuò)滑移方向相反。
    ②螺位錯(cuò)滑移方向與外力t及柏氏矢量b垂直,左、右螺型位錯(cuò)滑移方向相反。
    ③混合位錯(cuò)滑移方向與外力t及柏氏矢量b成一定角度(即沿位錯(cuò)線法線方向滑移)。
    ④晶體的滑移方向與外力t及位錯(cuò)的柏氏矢量b相一致,但并不一定與位錯(cuò)的滑移方向相同。

    02


    位錯(cuò)的攀移



    位錯(cuò)的攀移指在熱缺陷或外力作用下,位錯(cuò)線在垂直其滑移面方向上的運(yùn)動(dòng),結(jié)果導(dǎo)致晶體中空位或間隙質(zhì)點(diǎn)的增殖或減少。刃位錯(cuò)除了滑移外,還可進(jìn)行攀移運(yùn)動(dòng)。
    攀移的實(shí)質(zhì)是多余半原子面的伸長或縮短。螺位錯(cuò)沒有多余半原子面,故無攀移運(yùn)動(dòng)。



    刃位錯(cuò)攀移示意圖.png
    刃位錯(cuò)攀移示意圖
    位錯(cuò)的攀移靠原子或空位的轉(zhuǎn)移實(shí)現(xiàn)。
    正攀移:多余半個(gè)原子面向上運(yùn)動(dòng)。(原子從多余半原子面下端轉(zhuǎn)移到別處或空位從別處轉(zhuǎn)移到半原子面下端)
    負(fù)攀移:多余半原子面向下運(yùn)動(dòng)。
    攀移矢量大小等于滑移面的面間距。
    位錯(cuò)的攀移力(使位錯(cuò)發(fā)生攀移運(yùn)動(dòng)的力)包括:
    (1)化學(xué)攀移力Fs,是指不平衡空位濃度施加給位錯(cuò)攀移的驅(qū)動(dòng)力。
    (2)彈性攀移力Fc,是指作用于半原子面上的應(yīng)力分量作用下,刃位錯(cuò)所受的力。
    位錯(cuò)攀移的激活能Uc由割階形成的激活能Uj及空位的擴(kuò)散活化能Ud兩部分所組成。
    常溫下位錯(cuò)靠熱激活來攀移是很困難的。但是,在許多高溫過程如蠕變、回復(fù)、單晶拉制中,攀移卻起著重要作用。位錯(cuò)攀移在低溫下是難以進(jìn)行的,對(duì)于大多數(shù)材料而言,只有在較高溫度下才容易發(fā)生。
    對(duì)于螺型位錯(cuò),當(dāng)某一螺型位錯(cuò)在原滑移面上運(yùn)動(dòng)受阻時(shí),有可能從原滑移面轉(zhuǎn)移到與之相交的另一滑移面上去繼續(xù)滑移,這一過程稱為交滑移。
    如果交滑移后的位錯(cuò)再轉(zhuǎn)回和原滑移面平行的滑移面上繼續(xù)運(yùn)動(dòng),則稱為雙交滑移。

    03


    運(yùn)動(dòng)位錯(cuò)的交割



    當(dāng)位錯(cuò)在滑移面上運(yùn)動(dòng)時(shí),會(huì)與穿過滑移面的其他位錯(cuò)發(fā)生交割。
    分類:割階、扭折
    割階:如形成的曲折線段垂直位錯(cuò)的滑移面上;
    扭折:如形成的曲折線段在位錯(cuò)的滑移面上。

    來源:材子考研

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