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晶體缺陷就是實際晶體中偏離理想結(jié)構(gòu)的不完整區(qū)域。

根據(jù)晶體中結(jié)構(gòu)不完整區(qū)域的形狀及大小, 晶體缺陷常分為如下三類:

①脫位原子一般進入其他空位或者逐漸遷移至晶界或表面，這樣的空位通常稱為肖脫基空位或肖脫基缺陷。

②晶體中的原子有可能擠入結(jié)點的間隙，則形成另一種類型的點

缺陷---間隙原子，同時原來的結(jié)點位置也空缺了，產(chǎn)生另一個空位，通常把這一對點缺陷（空位和間隙原子）稱為弗蘭克爾缺陷。

③置換原子缺陷等類型

點缺陷類型動圖：

離子晶體的點缺陷

④離子晶體中點缺陷要求保持局部電中性，常見的兩種點缺陷：

肖脫基缺陷：等量的正離子空位和負離子空位。

弗蘭克爾缺陷：等量的間隙原子、空位。

離子晶體中的點缺陷動圖：

⑤點缺陷源于原子的熱振動，故其平衡濃度隨著溫度升高指數(shù)增加。

點缺陷數(shù)量明顯超過平衡值時叫過飽和點缺陷，產(chǎn)生原因為淬火、輻照、冷塑性變形。

①刃型位錯一晶體中半原子面邊緣周圍的原子位置錯排區(qū)。

刃位錯的形成動圖：

②螺型位錯——晶體中螺旋原子面軸線周圍的原子位置錯排區(qū)。

螺位錯的形成動圖：

③混合位錯——原子位置錯拝區(qū)中既有半原子面也有螺旋原子面的位錯。

混合位錯動圖：

④位錯的滑移

刃位錯的運動動圖：

螺位錯的運動動圖：

⑤位錯的攀移

攀移運動動圖：

攀移的原子模型：

⑥伯氏矢量的確定

先在有位錯的晶體中用一閉合回路包圍位錯線，回路應遠離位錯中心晶格嚴重畸變區(qū)。再在理想晶體中作一相同回路，但該回路的終點與起點并不重合。從終點向起點作一矢量使兩點相連，該矢量定義為該位錯的柏氏矢量。

伯氏矢量的確定動圖：

有晶界、孿晶界、相界、表面等分類。

孿晶界動圖：

扭轉(zhuǎn)晶界的形成動圖：